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<正>研究了S和Dy掺杂NiAl合金的1200℃氧化行为,分析了掺杂合金在1200℃下表面氧化膜的生长机制。结果表明,Dy的掺杂可显著抑制向α-Al2O3的转变和抑制S在界面处的偏聚。S掺杂NiAl合金经1200℃氧化2小时后氧化膜-合金界面处存在大量孔洞,
S和Dy掺杂NiAl合金的高温氧化行为研究
【摘 要】
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<正>研究了S和Dy掺杂NiAl合金的1200℃氧化行为,分析了掺杂合金在1200℃下表面氧化膜的生长机制。结果表明,Dy的掺杂可显著抑制向α-Al2O3的转变和抑制S在界面处的偏聚。S掺
【机 构】
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北京航空航天大学材料科学与工程学院;
【发表日期】
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2004年期
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