【摘 要】
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<正> 采用micro-Raman散射、FTIR吸收谱和PL谱细致研究了快速热退火及氢等离子体处理对PECvD法生长的富硅氧化硅(SRSO)薄膜微结构和发光的影响。研究发现,在300-600℃范围内
【机 构】
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中国物理所表面物理国家重点实验室;
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<正> 采用micro-Raman散射、FTIR吸收谱和PL谱细致研究了快速热退火及氢等离子体处理对PECvD法生长的富硅氧化硅(SRSO)薄膜微结构和发光的影响。研究发现,在300-600℃范围内退火,SRSO薄膜中非晶硅和SiOx:H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小;而在600-900℃温度范围内退火,其相分离程度随退火温度升高又趋于增人;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强然后在退火温度达到
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