LEC（Ⅲ）GaP晶片缺陷的观察

• 作 者: 陈坚邦 郑安生
• 机 构: 有色金属研究总院
• 出 处: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 晶片 损伤层 磨片 挥发后 单晶生长 凝聚物 光试验 叙述 切片 切割 聚集 局部 表面

该文叙述使用STM、SEM观察GaP晶片切割、研磨引入的损伤及磨片和抛光试验。所得结果为：切片损伤层约30.3um，磨片损伤层≤20um。也观察到一些GaP单晶锭局部表面布满麻坑，这是单晶生长时，磷挥发造成的，离表西100～150um范围有Ga凝聚物，它是由于磷挥发后造成Ga过剩并聚集在二起形成的。