SmFeAsO1-xFx超导带材的制备与性能研究

来源 :第十二届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:stchd
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SmFeAsO1-xFx具有极高的上临界场(~300T)及已发现铁基超导体中最高的临界转变温度(~55K),具有很强的应用潜力.作者使用先位法粉末套管工艺制造了一系列含有锡添加的SmFeAsO1-xFx超导带材,发现10-30 wt.%的锡添加可以大幅提高SmFeAsO1-xFx超导带材的临界电流密度,SmFeAsO1-xFx+30wt.%Sn的样品在4.2 K自场条件下得到了2.11×104 Acm-2的临界电流密度.
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基于铁基超导体的多带能隙特征,采用两带模型,假设带内电子配对为各项同性,带间电子配对序参量为coskxcosky形式,利用Gorkov理论,推导了层状铁基超导体的二维Ginzburg-Landau方程,并给出了自由能密度和垂直于二维平面的上临界场表达式.计算表明,上临界场在转变温度附近随温度变化的曲线呈对数形,该特征与最近的一些实验结果相符合,且与三维体系的上临界场有显著不同,这一特点是由系统的准
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We have successfully grown the single crystals of CaFeAsF1-x and measured resistivity and Hall effect on these samples.For the undoped samples, Hall coefficient keeps positive below about 120 K which
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CeCu2Si2 is a heavy Fermi superconductor with two superconducting phases under pressure.The first one with Tc=0.63K is thought to be related with antiferromagnetic instability.And the second one with
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我们通过电输运测量发现在碳酸锶衬底上通过分子束外延生长的一个单胞层厚的FeSe超薄膜显示出40K以上的超导转变以及在2K时临界电流密度达到1.7×106 A/cm2.而我们知道FeSe体材料的超导温度只有8K,临界电流密度只有104 Mcm2.因此我们发现了极大的超导界面增强效应.这一发现为探索新的高温超导材料提供了新的平台.另外,我们用聚焦离子束沉积的方法制备了无定形W化合物的纳米带结构.我们在
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