铁电单晶PIN-PMN-PT电光效应的研究

• 作 者: 赵烨 赵卫岗 魏晓勇 靳立 王三红 徐卓
• 机 构: 电子陶瓷与器件教育部重点实验室暨国际电介质研究中心,西安交通大学,西安,710049
• 出 处: 第十六届全国电介质物理、材料与应用学术会议
• 发表日期: 2016年5期
• 关键词: PIN-PMN-PT单晶 折射率 电光效应

　　弛豫铁电固溶体单晶因其具有优异的介电、压电(d33=1500-2500pC/N)和机电耦合性能(k33＞90％),已经被广泛的研究和应用。近几年,高质量、均匀的三元弛豫铁电单晶铌铟镁酸-钛酸铅[Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3,(PIN-PMN-PT)]备受研究领域的瞩目,在具有优异压电与机电等特性的同时,其高的居里温度、相变温度和大矫顽场等优良特性使之有很大潜力成为新一代的声功能材料,但对其光学性能的了解较少。