射频磁控溅射掺Al<'3+>ZnO薄膜的光致场发射研究

• 作 者: 姚友谊 邓宏 韦敏 王培利
• 机 构: 电子科技大学微固学院
• 出 处: 四川省电子学会传感技术第十届学术年会
• 发表日期: 2007年期
• 关键词: 射频磁控溅射 薄膜 光致 掺杂浓度 场发射 阴极材料 射频溅射 开启电场 发射中心 电镜观察 表面 氧化锌 亲和势 照射 样品 纳米 颗粒 晶粒 晶化 光源

氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.3eV)和较低的亲和势(3.0eV),有可能用作薄膜场发射中的阴极材料。本文主要研究了采用射频溅射法制备不同掺杂(Al<3+>)浓度ZnO薄膜时,掺杂浓度对光致场发射的影响。通过SEM电镜观察样品表面,发现表面存在纳米晶化颗粒,正是这些晶粒成为发射中心。当掺杂浓度为30at％,3w光源照射时,薄膜阴极开启电场为3.8V/μm。