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中红外带间级联激光器的制备及性能研究
【机 构】
:
红外材料与器件重点实验室,中科院上海技术物理研究所,上海,200083
【出 处】
:
第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
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2017年期
其他文献
MBE has become an effective mass production technology for electronic/optoelectronic epitaxial devices structures growth.The MBE foundry,such as IntelliEPI,
会议
本文报道了基于主控振荡(MO)-功率放大(PA)结构的太赫兹量子级联激光器(THz-MOPA-QCL)。我们利用“半导体/金属”分布反馈光栅提高MO 的输出功率,利用锥形放大区域抑制增