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本文研究了两种典型的电子元器件：晶体管和三端稳压器在中子辐照下不同中子注量的敏感参数的分布变化.结果表明，中子辐照下晶体管的直流放大倍数的分布可以用对数正态分布得到很好的拟合；而三端稳压器的输出电压的分布在辐照前可以用正态分布拟合，辐照前期可以用威布尔分布拟合，最后四种常见的分布都不能得到很好地拟合。