【摘 要】
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为了降低外束PIXE(Proton Induced X-ray Emission)分析方法的探测限,在X射线探测器探头处加装了He气通入装置,利用标准样品探讨了He气的流量与外束PIXE分析中Mg、Al、Si等元
【机 构】
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射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学核科学与技术学院,北京,100875
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为了降低外束PIXE(Proton Induced X-ray Emission)分析方法的探测限,在X射线探测器探头处加装了He气通入装置,利用标准样品探讨了He气的流量与外束PIXE分析中Mg、Al、Si等元素探测限的关系.结果表明,He气流量在50 sccm至1 000 sccm的范围内,Mg、Al、Si等元素的探测限随着通入He气量的增加不断降低,最多可降低95％.在此基础上,对于用Teflon滤膜采集的气溶胶样品,探讨了入射质子能量改变引起的滤膜中本底F元素γ射线产额与样品中的元素X射线产额的变化,以及二者共同作用下对样品中元素探测限的影响.
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