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本文利用RF-PECVD 技术制备本征氢化微晶硅(μc-Si:H)材料,通过改变射频功率、沉积压强和衬底温度等主要工艺参数对材料的电学和微结构性能进行了初步研究,并将上述参数进行了优化组合,得到了晶化率为54.73％、光敏特性约为103的微晶硅薄膜.
RF-PECVD 法制备微晶硅薄膜的性能研究
【摘 要】
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本文利用RF-PECVD 技术制备本征氢化微晶硅(μc-Si:H)材料,通过改变射频功率、沉积压强和衬底温度等主要工艺参数对材料的电学和微结构性能进行了初步研究,并将上述参数进行
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津 300071
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
【发表日期】
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2012年期
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