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介绍本研究组利用溅射硫化法、共蒸发以及共蒸发硫化法三种真空法路线制备锌黄锡矿结构薄膜的优化工艺、薄膜的光电特性以及器件性能。利用多种工艺路线，我们都可以获得转换效率大于8％的CZTS(Se)器件。利用变温荧光光谱、电容电压谱和导纳谱，我们将从实验上揭示CZTS 材料中电子陷阱和空穴陷阱的浓度以及能级深度。