【摘 要】
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分别在SF6和空气环境下,使用波长1064nm的半导体端面泵浦微秒脉冲激光器作为光源扫描辐照单晶硅表面,制备出"黑硅"材料.扫描电子显微镜的测量结果显示在SF6氛围中得到的微结
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分别在SF6和空气环境下,使用波长1064nm的半导体端面泵浦微秒脉冲激光器作为光源扫描辐照单晶硅表面,制备出"黑硅"材料.扫描电子显微镜的测量结果显示在SF6氛围中得到的微结构与空气中的相比,纵横比更大,锥形结构更加完整,表面更光滑,表明背景气体对于表面微结构的形成起着重要作用.通过对比分析不同数量激光脉冲辐照后的硅表面微结构,研究微秒激光辐照下硅表面微结构的演变过程,主要涉及激光诱导周期性表面结构、激光辅助化学刻蚀和再沉积等机制.
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