【摘 要】
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Here,a p-p+ homojunction is constructed on basis of NiO film to enhance hole transfer in an inverted planar perovskite solar cell.The homojunction is fabricated by NiO/Cu∶NiO bilayer film,DFT calculat
【机 构】
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The Jiangsu Province Engineering Laboratory of High Efficient Energy Storage Technology and Equipmen
【出 处】
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第八届新型太阳能材料科学与技术学术研讨会
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Here,a p-p+ homojunction is constructed on basis of NiO film to enhance hole transfer in an inverted planar perovskite solar cell.The homojunction is fabricated by NiO/Cu∶NiO bilayer film,DFT calculation demonstrates the charge density difference in the two layers,which could generate a space charge region and a band bending at the junction,the result is further proved by energy level structure analysis of NiO and Cu∶NiO films.This homojunction could accelerate the hole transfer and inhibit carrier recombination at the interface between hole transfer layer and perovskite layer.This work develops a new structure of hole transport layer to enhance the performance of PSCs,and also provides new ideas for design of charge transfer films.
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