【摘 要】
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本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯
【机 构】
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中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术国家实验室,传感技术联合国家重点实验室,上海200050
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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本文介绍了一种利用自对准硬掩膜版制备石墨烯场效应管的方法.自对准掩膜版由MEMS工艺制成.利用此硬掩膜版,可以避免在场效应管电极制备过程中的光刻,从而减小光刻胶对石墨烯的污染.测试表明,器件栅压对石墨烯电学性能有调制作用,器件中石墨烯呈现p型掺杂,迁移率为261 cm2/V*s.此器件制备方法工艺简单,成本低廉,有利于将来石墨烯电子器件的大规模应用.
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