【摘 要】
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采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合粉末的方法制备CIGS四元陶瓷靶材.考察了烧结温度、压力对靶材的相组成、形貌、成份的影响.实验结果表明,在烧结温度较低时,首先获得C
【机 构】
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清华大学材料学院,先进成形制造教育部重点实验室
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采用热压烧结Cu2Se、In2Se3、Ga2Se3混合粉末的方法制备CIGS四元陶瓷靶材.考察了烧结温度、压力对靶材的相组成、形貌、成份的影响.实验结果表明,在烧结温度较低时,首先获得CuInSe2三元黄铜矿相结构,随着烧结温度的升高,Ga元素不断向CIS中扩散,并获得均质的CIGS四元靶材.通过增大烧结压力,可以提高靶材密度.烧结时间的延长,对靶材的密实率没有明显影响.在烧结温度900,烧结压力45MPa的条件下,获得了超过96％的靶材密实率.
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