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光电集成电场传感器具有抗干扰性好，对被测电磁场的影响小以及响应速度快等优点。单屏蔽光电集成强电场传感器是一种专门为强电场测量而设计的光电集成传感器。本文对单屏蔽光电集成强电场传感器的关键参数进行分析，提出了传感器的改进设计方案并予以实现，测定了传感器在工频下的输入输出特性曲线，验证了设计方案的合理性。