Ni/YSZ阳极界面利用水除碳沉积效率低下的机制

来源 :2014第二届中国网络安全大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zuhai
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  我们研究了H2O在Ni/YSZ-Cint界面吸附、扩散和解离以及与Cint反应,探讨少量H2O除C效率低的原因.我们发现H2O 最稳定的吸附位置是在YSZ上,其次是在Ni上,最后是在Ni-YSZ 交界处.与在Ni上相比,H2O在Ni-YSZ 交界和YSZ上解离势垒更低.H2O的解离,进而和界面的C 反应,将会生成CHO. CHO一旦形成,CHO将更倾向于解离生成CH+O,这里O将愈合界面氧空位.而CH将很容易扩散到其他界面氧空位,继续生成界面C,从而阻塞氧离子传输.也就是说当H2O含量少时,消除界面C 的效率是很低的.只有继续增加水汽的含量,水分子解离然后与碳氢反应,生成CHO.CHO才更倾向于生成CO+H.这样界面C才可以得以彻底消除.
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