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IGBT将绝缘栅简易控制特性与双极器件的强大导电能力结合起来，弥补了功率MOS在高压领域通态电阻偏大的不足。
深耘IGBT芯技术,助力新能源
【摘 要】
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IGBT将绝缘栅简易控制特性与双极器件的强大导电能力结合起来，弥补了功率MOS在高压领域通态电阻偏大的不足。
【机 构】
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
【出 处】
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2018中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会
【发表日期】
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2018年9期
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