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本文介绍16位抗辐照加固微处理器及接口电路芯片设计.为实现抗辐照指标要求,设计过程中针对单粒子和总剂量效应进行设计加固,采用PD-SOI工艺加工制造.辐照测试结果表明,芯片抗总剂量能力达到100Krad(Si),单粒子LET翻转阈值达到67MeV-cm2/mg,满足星载计算机系统使用要求.
16位抗辐照加固微处理器及接口电路设计
【摘 要】
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本文介绍16位抗辐照加固微处理器及接口电路芯片设计.为实现抗辐照指标要求,设计过程中针对单粒子和总剂量效应进行设计加固,采用PD-SOI工艺加工制造.辐照测试结果表明,芯片
【机 构】
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深圳市国微电子股份有限公司 518057
【出 处】
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第十二届计算机工程与工艺全国学术年会(NCCET'08)
【发表日期】
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2008年期
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