缺陷对Gd掺杂ZnO薄膜磁性能的影响

• 作 者: 陈卫宾 李飞 刘学超 施尔畏
• 机 构: 中国科学院上海硅酸盐研究所
• 出 处: 第17届全国晶体生长与材料学术会议
• 发表日期: 2015年期
• 关键词: 缺陷 金属掺杂 ZnO薄膜 磁性能 物理气相沉积法 等离子体增强 未成对电子 蓝宝石衬底

　　稀土金属相对于过渡金属拥有更多的未成对电子，具有更大的轨道角动量，稀土金属掺杂ZnO薄膜可能具有优异的磁学性能。在本研究中，选用4f壳层为半满的钆(Gd)离子作为掺杂元素，采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法(ICP-PVD)在(001)蓝宝石衬底上制备了具有不同Gd掺杂浓度的ZnO薄膜。