室温下脉冲激光沉积制备高取向度氮化铝薄膜的研究

• 作 者: 吕磊 李清山 李丽 张立春 齐红霞 王彩凤 郑萌萌
• 机 构: 曲阜师范大学物理系,山东,273165 曲阜师范大学激光研究所,山东,273165
• 出 处: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2006年11期
• 关键词: 氮化铝薄膜 脉冲激光沉积 高取向度 氮气气压

用脉冲激光沉积(PLD)方法,在p-Si(100)衬底上室温下不同氮气(N2)氛围中制备了高度取向的氮化铝(AlN)薄膜,并利用X射线衍射仪、傅立叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜对样品的特征进行了研究.结果表明,在从真空到5Pa的N2气压范围内,制备的薄膜都呈现高度的h＜100＞晶向,并且随着气压的升高,样品的结晶度有明显的提高.另外,随着N2浓度的增大,Al-N键的结合度增强,AlN晶粒的尺寸增大,在样品表面出现杂散晶粒,薄膜的粗糙度增大。