【摘 要】
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反应离子刻蚀(RIE)是超导器件制备中重要工艺流程之一。本文介绍了利用RIE对超导Nb薄膜进行刻蚀时通过调节刻蚀参数来调控薄膜侧壁的边缘倾角。由于Nb薄膜刻蚀的边缘倾角
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050
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反应离子刻蚀(RIE)是超导器件制备中重要工艺流程之一。本文介绍了利用RIE对超导Nb薄膜进行刻蚀时通过调节刻蚀参数来调控薄膜侧壁的边缘倾角。由于Nb薄膜刻蚀的边缘倾角主要取决于光刻胶和Nb薄膜的刻蚀速率比,因此我们通过在RIE反应气体CF4中添加不同比例的O2,同时调节流量、压强、功率等其他刻蚀参数,获得不同的刻蚀速率。我们利用SEM对刻蚀得到的Nb线条进行表征,从而获得刻蚀速率和边缘倾角等参数与各刻蚀参数的关系曲线。本工作对于Nb基SQUID等多层平面器件的制备具有较大意义。通过控制Nb薄膜的边缘倾角可以改善层间线条交叠部分的有效过渡,而较陡直的超导薄膜边缘有利于降低磁通钉扎几率,从而改善SQUID低频噪声性能。
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