B2O3掺杂对改性ZnO薄膜致密性及压敏性的影响

• 作 者: 仝金雨 刘梅冬 黄焱球
• 机 构: 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,4300074
• 出 处: 2006年全国功能材料学术年会
• 发表日期: 2006年期
• 关键词: 掺杂 改性 薄膜 致密性 压敏性 低压压敏特性 压敏电压 线性系数 微观结构 摩尔分数 表面形貌 稳定性 添加量 漏电流 含量 法制 表征

利用新型sol-gel法制备了B2O3掺杂的ZnO薄膜.用SEM表征了B2O3掺杂前后ZnO薄膜的表面形貌,用XRD详细分析了不同B2O3含量掺杂下ZnO薄膜的微观结构与薄膜低压压敏特性的关系.结果表明,当B2O3添加量为0.5﹪(摩尔分数)时,薄膜的致密性和稳定性明显提高,ZnO薄膜的压敏电压低于5V,非线性系数高达18,漏电流为0.04μA/mm2.