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采用普通ＣＶＤ横式外延系统在（１００）硅上高温外延生长单晶金刚石薄膜。对所得薄膜用金相显微镜，扫描电镜和拉曼光谱进行分析。初步结果表明，在（１００）硅衬底上高温外延生长出与硅取向一致的金刚石核心，其大小为１２μｍ以上。拉曼光谱分析表明，其核心为金刚石。电子衍射分析证实有Ｓｉｃ过渡层程存在。
单晶金刚石薄膜延生长研究
【摘 要】
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采用普通ＣＶＤ横式外延系统在（１００）硅上高温外延生长单晶金刚石薄膜。对所得薄膜用金相显微镜，扫描电镜和拉曼光谱进行分析。初步结果表明，在（１００）硅衬底上高温外延生长出与硅取向一致的金刚石
【机 构】
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科学院上海冶金研究所
【出 处】
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第四届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
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1995年期
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