一种新型结构AlGaN/GaNHEMT设计

• 作 者: 周肖鹏;程知群;周伟坚;胡莎;张胜;
• 机 构: 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,浙江,310018
• 出 处: 2009年全国微波毫米波会议
• 发表日期: 2009年期

对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaNHEMT进行了优化设计；从半导体能带理论与量子阱理论出发自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气（2DEG）中载流子浓度和横向电场影响；用TCAD软件仿真得到器件的层结构参数对器件的性能影响。结合理论分析和仿真结果，确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT。对栅长1μm栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导300mS/mm，且在栅极电压-2V到1V的宽范围内跨导变化很小，表明器件具有较好的线性度，器件的最大电流密度1300mA/mm、特征频率11.5GHz和最大振荡频率32.5GHz。