CH4在Ir(111)表面吸附和解离机理的第一性原理研究

• 作 者: 王萌萌 王兴艺 周丽娜 杨娟 何朝政 李根全
• 机 构: 南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳 473061
• 出 处: 第十二届全国量子化学会议
• 发表日期: 2014年期
• 关键词: CH4 表面吸附 解离 机理 第一性 密度泛函理论 空位 自旋极化

　　采用自旋极化密度泛函理论,结合周期性平板模型,在0.25 ML 的覆盖度下,研究了CH4在Ir(111)表面的吸附及其解离行为.结果表明：在Ir(111)表面上,CH4、CH3、CH2、CH 和C原子最稳定的吸附位置分别为顶位、Fcc空位、桥位、Hcp空位和Hcp空位,对应的吸附能分别为-0.66、-1.49、-3.96、-6.57和-8.28 eV.CH4逐步解离到CH的能垒分别为0.75、1.26 和0.12eV.