【摘 要】
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针对磁控溅射离子镀因镀料粒子离化率低而不易在形状复杂器件表面沉积均匀镀层的技术缺憾,将气体放电伏安特性引人反欧姆区,实现镀料粒子由碰撞逸出的低离化状态向碰撞+热发
【机 构】
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西安理工大学材料学院,陕西西安710048
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工程第十届学术会议
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针对磁控溅射离子镀因镀料粒子离化率低而不易在形状复杂器件表面沉积均匀镀层的技术缺憾,将气体放电伏安特性引人反欧姆区,实现镀料粒子由碰撞逸出的低离化状态向碰撞+热发射高离化状态的转变.实验发现:当靶面放电区电流密度由0.067A·cm2增加至0.175A·cm2时,虽然靶电压随靶电流的增大呈线性增大关系,但靶面的环状放电特征基本不变;当Id由0.175A·cm2增大到0.267A·cm2时,不仅靶电压随靶电流的增大呈线性减小关系,同时靶面的环状放电特征的内环面积也逐步缩减至零,且镀层厚度减小率由电流密度为0.067A·cm2时的94.4%减小至电流密度为0.267A·cm2时的72%.另外,薄膜的临界载荷随的增幅也由小于0.175A·cm2时的缓慢增大转变为Id大于0.175A·cm2以后的快速增大.结果表明:反欧姆环境下利于改善镀层的均匀性和提高膜基结合强度.
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