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由于半导体碳纳米管具有优越的电学、力学性能,同时物理、化学性质稳定、容易溶液化以及后处理温度低等特点,半导体碳纳米管被认为是构建印刷薄膜晶体管最理想的半导体材料之一[1,2]。碳纳米管的电子和空穴迁移率都非常高,理论上通过合适的后处理技术可以得到性能优越的 p 型和 n 型薄膜晶体管器件。
N型印刷碳纳米管薄膜晶体管极性可控制备及其电性能研究
【摘 要】
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由于半导体碳纳米管具有优越的电学、力学性能,同时物理、化学性质稳定、容易溶液化以及后处理温度低等特点,半导体碳纳米管被认为是构建印刷薄膜晶体管最理想的半导体材
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏省苏州工业园区若水路398号,215123
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年期
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