【摘 要】
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利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时
【机 构】
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南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家重点实验室，南京210016
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利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了低温SiNx 纳米尺寸掩模及GaN/SiNx/Al2O3 外延结构，研究了SiH4处理时间与GaN外延层的晶体质量、发光及电学性质的关系。当SiH4 处理时间为120s 时，GaN 外延层中刃位错和螺位错密度、光致发光谱FWHM、方块电阻分别达到最小值。
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