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通过无电化学湿法腐蚀的方法在晶硅衬底上成功制备了硅纳米线阵列形成黑硅.针对存在的纳米线与电极之间的接触不够致密,并且浆料不能填充纳米线之间的间隙,接触电阻较大等问题,用激光刻蚀的方法选择性的刻蚀掉电极下的纳米线阵列,有效的改善了电极的接触性能,降低了接触电阻,有利于电池效率的提高.
激光刻蚀对纳米线黑硅太阳能电池电极接触的改善
【摘 要】
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通过无电化学湿法腐蚀的方法在晶硅衬底上成功制备了硅纳米线阵列形成黑硅.针对存在的纳米线与电极之间的接触不够致密,并且浆料不能填充纳米线之间的间隙,接触电阻较大等问
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京100029
【出 处】
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第13届中国光伏大会
【发表日期】
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2013年期
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