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过去人们通常认为量子点中的缺陷是不可控制的因此需要进行抑制。与以往报道不同的是，本文将关注如何控制和利用缺陷，尤其是量子点内部缺陷。主要的挑战有：(i)如何可控的在量子点内部预期的位置上引入内部缺陷；(ii)如何控制缺陷的类型为辐射复合缺陷或无辐射复合缺陷；(iii)如何利用内部缺陷。本文发现掺杂核与ZnSe宿主量子点界面是构筑不同类型内部缺陷的理想场所。