【摘 要】
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在FACE(Free-air carbon dioxide enrichment)条件下,通过水培方法研究在两种N水平下(低N10mg.L-1和常N30 mg.L-1)分蘖期C3作物水稻(Oryza sativa L.)和C4稗草(Echinochloa,c
【机 构】
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中国科学院南京土壤研究所土壤与农业可持续发展重点实验室,南京 210008
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在FACE(Free-air carbon dioxide enrichment)条件下,通过水培方法研究在两种N水平下(低N10mg.L-1和常N30 mg.L-1)分蘖期C3作物水稻(Oryza sativa L.)和C4稗草(Echinochloa,crusgalli)的根系生长情况。
结果表明,常N水平时高C02显著增加C3水稻和C4稗草的根生物量、根体积、根长和根直径,水稻对FACE的响应高于稗草;低N胁迫时高C02显著增加了C4稗草的根生物量、根体积、根长和根直径,而对C3水稻无明显促进。在两种N水平时,高C02均显著降低C3水稻和C4稗草根N含量,而C含量微有上升但不显著,导致C/N比值显著增加。高C02显著降低C3水稻和C4稗草单位根重的根毛数,可能是在C02浓度增加条件下根系活力显著降低的形态学原因之一。
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