Optical properties of arsenic-doped MgZnO films on GaAs substrate by molecular beam epitaxy

来源 :第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：michael047

【作者】

：

【机构】

：

Institute of science,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China

【出处】

：

第六届国际氧化锌及相关材料研讨会

【发表日期】

：

2010年期

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