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微含铬高迁移率半绝缘ＨＢ－ＧａＡｓ单晶制备
【机 构】
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北京有色金属研究总院国家半导体材料工程研究中心
【出 处】
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中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议
【发表日期】
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1993年期
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