应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

• 作 者: 王琦;朱顺明;顾书林;施毅;张荣;王荣华;夏冬梅;郑有炓;韩平;俞慧强;梅琴;谢自力;修向前;
• 机 构: 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
• 出 处: 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2006年期

本文用化学气相沉积(CVD)方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜(SEM)方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,拉曼散射光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.