论文部分内容阅读
智能切削技术结合离子注入和晶片粘接技术的优点，是一种高效地生产高质量薄型SOI(Silicon-on-Insulator)晶片的主流技术。本文利用分子动力学方法研究了智能切削过程中的氢离子注入过程和缺陷演化，主要定量分析了智能切削过程中的三个重要工艺参数：氢离子注入能量、氢离子注入量和退火温度，对氢离子注入后的深度以及离子注入引起的缺陷形核和演化的影响。