光泵浦垂直外腔面发射激光器的结构优化设计

• 作 者: 秦莉[1]何春凤[2]李军[2]梁雪梅[2]路国光[2]宁永强[1]王立军[1]
• 出 处: 2007年激光技术发展与应用学术交流会
• 发表日期: 2007年期

实验中发现,传统结构的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,随着泵浦功率密度的增加,器件的温升现象严重.这是由于传统结构中,势垒和量子阱间小的带隙差造成的.为了解决温升问题,采用PICS3D软件对传统结构进行优化设计.在吸收层中引入对泵浦光和激射光透明的AlGaAs层,提高对量子阱中的载流子的限制作用.计算结果表明,在增益和自发发射特性上,优化后的结构都有了很大提高。