A simple parameter extraction method for PIN photodiode

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:safe110a
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  A parameter extraction method for small signal model of the PIN photodiodes, which combines the analytical method and empirical optimization procedure, is developed in this paper.The values of the intrinsic and extrinsic parameters of the PIN photodiodes are extracted by using a set of closed form expressions derived from output reflection coefficient on wafer measurement.An excellent fit between measured and simulated S-parameters is obtained up to 40GHz.
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