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采用真空沉积方法，利用二胺衍生物（ＮＰＢ）， ８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ）和稀土铽的有机配合物（Ｔｂ－ｃｏｍｐｅｘ）制备了有机发光二极管。将渡跃时间技术用于测量有机材料（ＮＰＢ，Ａｌｑ，和Ｔｂ－ｃｏｍｐｌｅｘ）载流子的迁移率。这三种有机材料所制备的样品之结构分别为：Ａｕ／ＮＰＢ／ＩＴＯ， Ａｕ／Ａｌｑ／Ｓｉ／Ａｌ，Ａｕ／Ｔｂ－ｃｏｍｐｌｅｘ／Ｓｉ／Ａｌ。在室温和２．３ｘ１０＜’５＞ｖ／ｃｍ电场下，ＮＰＢ的空穴迁移率，Ａｌｑ和Ｔｂ－ｃｏｍｎｐｌｅｘ电子的迁移率分别为：（８．８±２）ｘ１０＜’－４＞，（６．７±２）Ｘ１０＜’－５＞和（３±２）ｘ１０＜’－４＞ｃｍ＜’２＞／（Ｖｓ），其中ＮＰＢ的空穴迁移率随着电场的增强而增加。