AlxGa1-xN/GaN异质结构中界面粗糙度对电子态的影响

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fayeming

【摘要】

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对纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异质结构,假定其GaN基外沿AlxGa1-xN层采用赝晶生长技术,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,同

【作者】

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王志强班士良

【机构】

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内蒙古大学物理科学与技术学院,呼和浩特 010021

【出处】

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中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

GaN 异质结构界面粗糙度电子态压电极化薛定谔方程二维电子气自洽求解

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对纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异质结构,假定其GaN基外沿AlxGa1-xN层采用赝晶生长技术,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,同时考虙实际异质结构中界面粗糙度对压电极化的修正,采用数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程[1],获得二维电子气(2DEG)中电子的本征态和本征能级.

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