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晶体硅太阳电池中缺陷将会影响电池的效率和使用寿命。本文旨在探索利用电致发光技术进行晶体硅太阳电池缺陷的检测与分析。通过实验获得正向偏置电压和反向偏置电压下下晶体硅太阳电池的发光图像，依据其明暗强度来检测太阳电池的缺陷。本文对反向偏压下的位错簇等缺陷做了定性分析。列举了正向偏压下的12类太阳电池缺陷，如断栅，裂纹，位错簇等，将其形成原因归纳为三大类。同时，根据缺陷种类，提出了避免或减少缺陷的建议。