GaN HEMT大信号等效电路模型的参数提取

来源 :2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fuzaifeng

【摘要】

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在小信号模型的基础上对GaN HEMT器件的大信号模型进行了分析,重点研究了EEHEMT非线性等效电路模型,用分段函数表征了模型中的非线性元件.对栅宽为2×100μm、栅长为0.25μm

【作者】

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骆丹婷沈溧高建军

【机构】

：

信息与科学技术学院,华东师范大学,上海201203

【出处】

：

2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

【发表日期】

：

2016年期

【关键词】

：

HEMT GaN 大信号模型等效电路模型模型参数非线性元件小信号模型直流偏置

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在小信号模型的基础上对GaN HEMT器件的大信号模型进行了分析,重点研究了EEHEMT非线性等效电路模型,用分段函数表征了模型中的非线性元件.对栅宽为2×100μm、栅长为0.25μm的GaN HEMT器件进行了EEHEMT模型的参数提取,并在不同的直流偏置下对模拟S参数和测量S参数进行了对比,两者吻合得很好,验证了提取的模型参数的准确性.

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