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新型阳极短路环的大功率GTO
新型阳极短路环的大功率GTO
来源 :中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qiuxuefalv
【摘 要】
:
采用新型阳极短路环的发射极结构,在国内首次开发成功了1000A/2500V和2000A/2500V的大功率阳极短路型GTO晶闸管。该文给出该GTO的基本设计原则和制造工艺,并获得了通态损耗和关断损耗的最佳折衷。
【作 者】
:
张昌利
陈治明
【机 构】
:
电力电子技术研究所
【出 处】
:
中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
阳极
短路环
制造工艺
通态损耗
设计原则
关断损耗
晶闸管
极结构
短路型
大功率
开发
国内
发射
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采用新型阳极短路环的发射极结构,在国内首次开发成功了1000A/2500V和2000A/2500V的大功率阳极短路型GTO晶闸管。该文给出该GTO的基本设计原则和制造工艺,并获得了通态损耗和关断损耗的最佳折衷。
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