激光诱导有机硅烷气相合成非晶SiC纳米粉体的晶化

• 作 者: 张滨;刘常升;贺春林;国玉军;
• 机 构: 大学材料与冶金学院(沈阳)
• 出 处: 1998年中国材料研讨会
• 发表日期: 1998年期
• 关键词: 硅烷 纳米材料 超细粉 碳化硅 气相反应 晶化 激光应用

采用连续二氧化碳激光诱导二甲基二乙氧基硅烷（（Ｃ〈，２〉Ｈ〈，５〉Ｏ）〈，２〉Ｓｉ（ＣＨ〈，３〉）〈，２〉）气相合成出两种不同工艺条件下的碳化硅（ＳｉＣ）纳米粉，研究两种粉在不同晶化退火气氛和气氛相同而晶化退火温度不同情况下，粉体的晶化行为。结果表明，晶化退火气氛对非晶纳米碳化硅起始晶化温度有影响；此外，原始粉的状态也会影响晶化退火中晶体生长形态。