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继硅集成电路不断发展和应用之后，硅基光电子器件研究获得了很大的进展，已经成功研制出硅基发光二极管和激光器、谐振腔增强型和量子点探测器、1GHz高速SOI光波导调制器、4×4 SOI光波导开关等器件。本文综述硅基光电子材料生长、器件的结构和特性，着重介绍这些技术近年来的进展，包括外延生长SiGe量子阱和量子点、研制谐振腔增进型光电探测器和SOI光波导开关阵列的研究结果。