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量子点的荧光辐射特性高度地依赖于其所处的界面环境，利用半导体纳米材料的界面环境来改变单量子点的荧光辐射特性对于基于量子点的荧光纳米探针及单光子源等具有重要的意义。本文通过将单CdSe/ZnS量子点掺杂于N型半导体纳米材料氧化铟锡(ITO)中研究单量子点在ITO的散焦成像特征及荧光辐射特性。
单量子点在半导体纳米材料中的散焦成像模式及荧光辐射特性
【摘 要】
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量子点的荧光辐射特性高度地依赖于其所处的界面环境，利用半导体纳米材料的界面环境来改变单量子点的荧光辐射特性对于基于量子点的荧光纳米探针及单光子源等具有重要的意
【机 构】
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量子光学与光量子器件国家重点实验室山西大学激光光谱研究所,太原 030006
【出 处】
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中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
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2015年期
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