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采用MgO(100)单晶基片，有利于FePt有序化过程中形成共格生长，从而可以控制FePt有序结构的晶轴垂直于膜面。因此通常采用Mg0(100)单晶基片，在热基片上外延生长Fe/Pt多层膜或超薄FePt薄膜，但往往需要很高的基片温度(>500℃)。通过后退火获得FePt薄膜的垂直取向报道较少。本文研究了通过后热处理和控制FePt薄膜的厚度，实现FePt薄膜的垂直取向，并讨论了厚度对L10-FePt垂直取向的影响。