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该文对N型MOS电容进行了Fowleer-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并利用高艭-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化电荷、界面态的感生变化及其界面态的能理分布变化 等角度 研究了MOS结构热载子操作的特性、机理，为今后抗热载子损伤的加固技术研究提供了基础。
MOS电容的热载流子损伤效应
【摘 要】
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该文对N型MOS电容进行了Fowleer-Nordheim衬底热电子高场注入(SHE)，并利用高艭-V及准静态C-V分析技术，从微观氧化电荷、界面态的感生变化及其界面态的能理分布变化 等角度 研
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
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第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会
【发表日期】
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1999年期
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