离子注入P型大平面高纯锗探测器

• 作 者: 张淑娟;王征华;孙复生;
• 机 构: 中国科学院原子能研究所
• 出 处: 全国核电子学与核探测器学术会议
• 发表日期: 1984年期
• 关键词: 内放大探测器 离子注入 P型半导体 性能试验 生产工艺 锗 凸度计

使用离子注入法，制成P型大平面HPGe探测器，其有效直径为30mm，厚度为10mm，灵敏体积为7cm。使用的P型高纯锗单晶具有约10[**]原子/cm的净杂质浓度。N[*+*]接触由真空扩散锂形成；P[*+*]接触则用离子注入硼制成。为提高探测器的击穿电压，降低表面漏电流，将其制成凹槽式。耗尽电压为670V，工作电压为1200V，漏电流为10[*-11*]A量级。在室温下，探测器对[**]Co[*.33*]Mevγ射线和[**]Am59.6Kevγ射线的分辨率分别为2.0Kev和1.2Kev。（王太和摘）