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氢对纯铁钝化膜半导体性质的影响
氢对纯铁钝化膜半导体性质的影响
来源 :中国腐蚀与防护学会成立20周年暨'99学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qwe007wc
【摘 要】
:
采用电化学、光电化学和交流阻抗等方法研究了氢对纯铁钝化膜形成过程和电子性质的影响。结果表明氢的存在会延长钝化膜的形成,升高稳态钝化条件下的溶解速率;固溶氢能提高钝化
【作 者】
:
曾一民
林志
乔利杰
褚武扬
【机 构】
:
北京科技大学材料学院(北京)
【出 处】
:
中国腐蚀与防护学会成立20周年暨'99学术年会
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
纯铁
钝化膜
半导体
光电化学
形成过程
溶解速率
平带电位
浓度升高
禁带宽度
交流阻抗
方法研究
电子性质
光电流
稳态
氢能
电容
掺杂
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采用电化学、光电化学和交流阻抗等方法研究了氢对纯铁钝化膜形成过程和电子性质的影响。结果表明氢的存在会延长钝化膜的形成,升高稳态钝化条件下的溶解速率;固溶氢能提高钝化膜光电流、降低禁带宽度;氢促使钝化膜的电容和掺杂浓度升高,并降低膜的平带电位。
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解离吸附
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反应途径
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势能面
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模型
路径
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分析数据
标准样品
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检验法
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准则
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